TF1010 yksiseinäinen hiilinanoputkijauhe

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, ja putken seinämän amorfiset hiilivirheet ovat erittäin vähäisiä. Ytimen eriytetty indikaattori: yksiseinäisten hiiliputkien tehokas puhtaus on suurempi tai yhtä suuri kuin 98,5 %, huomattavasti korkeampi kuin TF1000:n 80 % puhtaus. Metallituhka on gradienttiohjattu sadan ppm:n tasolle, katalyytin jäännösepäpuhtaudet vähenevät huomattavasti, mikä välttää olennaisesti puolijohdelaitteiden vuotamisen, pariston sivureaktiot ja signaalin kulkeutumisongelmat.

Yksikerroksisen grafeenin saumattomassa putkimaisessa rakenteessa yhdistyvät ballistinen elektronien johtuminen, erittäin korkea elastisuus ja erittäin suuri ominaispinta-ala (500–1000 m²/g). Perkolaatiolisäysmäärä voi olla niinkin alhainen kuin 0,03 % koko alueen johtavan verkon muodostamiseksi, joka soveltuu 7 nm:n ja sitä pienemmille edistyneille prosessiohutkalvotransistoreille, joustaville logiikkapiireille, erittäin puhtaille pii-hiilianodeille, sotilas- ja ilmailun kevyelle suojaukselle, erittäin herkälle biosensariolle ja muille korkean tason skenaarioille.

Tehdas on varustettu täydellä sarjalla erittäin puhtaita materiaaleja omistettuja testauslaitteita, mukaan lukien korkearesoluutioinen TEM, Raman-spektroskopia, TGA-termogravimetria ja ICP-OES. Jokaiselle erälle toimitetaan täydellinen sarja erikoistestausraportteja yhden seinän sisällöstä, metalliepäpuhtauksista, putken halkaisijasta ja pituudesta. Tutkimuslaitoksille, puolijohdeyrityksille ja johtaville solid-state-akkujen valmistajille toimitetaan vain grammatason erittäin puhtaita näytteitä ja kilogramman koe-eriä. Erittäin puhtaita modifioituja jauheita, joissa on amino- ja karboksyyliryhmiä, voidaan räätälöidä sopeutumaan vesi/orgaaninen liuotindispersioon. Täysi joukko RoHS-, REACH-, erittäin puhtaita ICP-epäpuhtaus-erikoisraportteja ja MSDS-turvallisuustiedotteita ovat valmiit, ja ne täyttävät tiukat materiaalin pääsyn auditointistandardit sotilaallisten ja puolijohteiden tuontia ja vientiä varten.

Pakkaus: alumiinifolio-tyhjiöpussit, PE-komposiittipussit, tonnipussit, muokattavissa

Vuonna 2022 yhtiö investoi 50 miljoonaa RMB perustaakseen "Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd:n". Hezessä, Shandongin maakunnassa, jonka rakennusala on 4000 neliömetriä. Se on nyt kansallinen korkean teknologian yritys, jolla on yli kymmenen itsenäistä patenttia.

Toisen vaiheen tuotanto- ja tuotekehityskeskus on suunniteltu rakennettavaksi vuonna 2027. Yhtiö on läpäissyt kansainvälisen ISO9001 laatujärjestelmän sertifioinnin ja muodostanut edistyneen nanomateriaalien valmistuksen ja teknisen palvelukeskuksen, joka kattaa koko toimintaprosessin, T&K:n, pilottuotannon ja valmistuksen. Tällä hetkellä sillä on täydelliset tuotantolinjat hiilinanoputkijauhetta, hiilinanoputkilietettä, hiilinanoputkien perusseosta, hiilinanoputkikuitua ja hiilinanoputkikalvoa varten.

Meillä on ammattimainen testaus ja sertifiointi. Aidosti nanomittakaavan hiilinanoputkien osalta Tanfeng Technology tarjoaa karakterisointitietoja useille malleille, kuten SEM-kuville, AFM-kuville, HRTEM-kuville, Raman-spektroskopialle ja röntgenjauhediffraktiokuvioita.

Yhden seinän puhtaus Yli tai yhtä suuri kuin 98,5 %, erittäin alhainen epäpuhtaus ja sekalainen putkipitoisuus, mukautuu puolijohdelaitteen päälle/pois-suhdevaatimuksiin

Verrattuna TF1000:n yksiseinämäiseen puhtauteen, joka on vain 80 %, TF1010 poistaa moniseinäiset hiiliputket ja amorfiset hiilihiukkaset monivaiheisella puhdistuksella, ja sekalaiset faasiepäpuhtaudet ovat alle 1,5 %. Kun sitä käytetään ohutkalvokenttätransistoreissa, laitteen päälle/pois-suhde kasvaa yli 10 kertaa ilman erilaisten metallisten putkien aiheuttamaa vuotoa tai signaalin vääristymistä, mikä mukautuu 7 nm:n ja sitä alhaisempien edistyneiden hiilipohjaisten integroitujen piirien tutkimukseen ja kehitykseen.

Saatavilla on kolme erittäin alhaista metallituhkaa, jotka ratkaisevat täysin metalli-ionien kulkeutumisen epäonnistumisongelman

Tarjoaa kolme tuhkaerittelyä:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 μm ultrapitkät koskemattomat putket, erittäin alhainen täyttö estämättä valonläpäisyä

Kymmenentuhannen tason erittäin korkea kuvasuhde, johtava lisäysmäärä niinkin alhainen kuin 0,03 %, täyteaineen annostusta vähennetty vielä 30 % verrattuna TF1000:een saman johtavan vaikutuksen saavuttamiseksi. Putken halkaisija on paljon pienempi kuin näkyvän valon aallonpituus, joten se valmistaa läpinäkyviä johtavia kalvoja, joissa ei ole sameutta ja korkea läpäisykyky, ja se mukautuu taittuvien näyttöjen ja aurinkosähköisten läpinäkyvien elektrodien massatuotantoon.

Ultra-high crystallinity G/D >50, erittäin vähän putken seinämän rakenteellisia vikoja, sähkökemiallisen syklin vakaus maksimoitu

Pienivaurioiset grafeeniputken seinämät vähentävät elektrolyytin rajapinnan sivureaktioita. Pii-hiilianodeissa ja solid-state-akuissa käytettäessä ne voivat merkittävästi estää jatkuvaa SEI-kalvon paksuuntumista, ja solusyklin käyttöikä on parantunut yli 35 % verrattuna TF1000:n yksiseinäisiin perusakkuihin, jotka mukautuvat pitkän kantaman huippuluokan henkilöajoneuvojen akkuihin.

Voi erottaa suuntaisesti puolijohtavat yksiseinäiset hiiliputket, ydinsubstraatti pienitehoisille joustaville siruille

Erittäin puhtaat, koskemattomat yksiseinäiset raaka-aineet helpottavat myöhempää tiheysgradienttisentrifugointierotusta ja tuottavat suuren osan puolijohtavista yksiseinäisistä hiilinanoputkista, joilla on suuri kantoaallon liikkuvuus ja äärimmäisen alhainen laitteen virrankulutus, mikä tekee niistä ydinraaka-aineita seuraavan sukupolven joustaville pienitehoisille logiikkapiireille ja mikrosensorisiruille.

Erittäin suuri ominaispinta-ala 500–1000 m²/g, erittäin herkkä hivenmolekyylien talteenotto

Massiiviset sähkökemialliset aktiiviset kohdat, joissa adsorptio- ja tunnistuskyky kaasuille, biologisille proteiineille ja raskasmetallimolekyyleille, jotka ylittävät TF1000:n, mukautuvat lääketieteellisiin diagnostisiin biosensoreihin ja ympäristön epäpuhtauksien tarkkuuteen.

Sotilas- ja ilmailualan täysin yhteensopiva erittäin puhdas järjestelmä, kevyt johtava ja lämpöä johtava integroitu rakenteellinen vahvistus

Vähäepäpuhtaudet, saostumattomat formulaatiot täyttävät ilmailu- ja sotilaselektroniikkakomponenttien hyväksymisstandardit. Erittäin alhainen täyttö voi saavuttaa pysyvän johtavuuden, sähkömagneettisen suojauksen ja rakenteellisen vahvistuksen kolminkertaiset vaikutukset, mikä vähentää huomattavasti satelliittien ja lentokoneiden osien omapainoa.

1. Kehittyneen prosessin hiilipohjaiset puolijohteet, ohutkalvoiset kenttätransistorit

7 nm ja alle prosessiintegroidut piirit, joustavat logiikkasirut, pienitehoiset mikro-anturipiirit; Ultrakorkea yksiseinämäinen puhtaus varmistaa korkean transistorin päälle/pois-suhteen ja pienen vuodon, mikä korvaa perinteiset piipohjaiset materiaalit Mooren aikakauden jälkeisessä mikronanoelektroniikan T&K:ssa.

2. Sotilas-/ilmailualan erittäin puhtaat kevyet johtavat suojauskomposiittimateriaalit

Kevyet satelliittien sähkömagneettiset suojakotelot, lentokoneiden lämmönpoisto- ja johtavat integroidut paneelit, sotilaalliset energian varastointilaitteiden elektrodit; vähäiset metalliepäpuhtaudet täyttävät sotilaskomponenttien pitkän aikavälin kiertoradalla vakaan toiminnan standardit.

3. Huippuluokan pii-hiili-anodit, täyskiinteät sulfidi-akut

Johtavia lisäaineita, jotka on tarkoitettu huippuluokan kulutuselektroniikkaan ja matkustajaajoneuvojen pitkän kantaman akkujen pii-hiilianodeihin; erittäin alhaiset epäpuhtaudet estävät solujen itsepurkauksen, erittäin pitkät hiiliputket puskuroivat piihiukkasten tilavuuden laajenemista, mikä pidentää merkittävästi syklin käyttöikää.

4. Erittäin läpäisevät joustavat läpinäkyvät johtavat kalvot, taitettavat OLED-näyttöpaneelit

Korvaa niukan ITO-indiumtinaoksidin, valmistaa sameattomat korkean läpäisevyyden johtavat kalvot, mukautuu taitettaviin kosketusnäyttöihin, puetettaviin lääketieteellisiin EKG-elektrodeihin ja aurinkokennojen läpinäkyviin virrankeräjiin, joiden vastuksen vaimennus on alle 3 % tuhannen mutkan jälkeen.

5. Ultra-High-Precision biologiset ja ympäristön jäljitysanturit

Lääketieteellinen proteiinien havaitsemisanturit, ilmakehän myrkyllisten kaasujen havaitseminen, vesijäljittäminen raskasmetallien seurantaanturit; erittäin suuri ominaispinta-ala mahdollistaa ppb-tason jälkimolekyylitunnistuksen, ja tunnistusherkkyys on parempi kuin TF1000 perus-yksiseinämäinen.

6. University Frontier Ultra-High-Purity nanomateriaalien tutkimusprojektit

Erittäin puhtaat näytteet, jotka on omistettu erittäin tarkkaan laboratoriotutkimukseen ja -kehitykseen, kuten puolijohteiden yksiseinämäinen kiraalisuuserotus, kehittyneet hiilipohjaiset sirumekanismit, solid-state-akkujen pitkäkestoiset mekanismit ja ilmailu-avaruusalan kevyet komposiittimateriaalit.

Kysymys 1: Mitkä ovat ydinvalinnan erot erittäin puhtaiden yksiseinäisten TF1010 ja yksiseinäisten TF1000 perusmallien välillä, ja miten puolijohdesirujen tulisi valita?

V: TF1000 yksiseinämäinen puhtaus on vain suurempi tai yhtä suuri kuin 80%, sopii pii-hiilianodeille, tavallisille joustaville johtaville kalvoille ja tavanomaiseen laboratorion perustutkimukseen ja kehitykseen; TF1010:n yksiseinämäinen puhtaus on suurempi tai yhtä suuri kuin 98,5 %, metallituhkaa jopa 100 ppm ja erittäin vähän sekalaisia ​​putkia ja amorfisia hiiliepäpuhtauksia, erityisesti integroituja puolijohdepiirejä, sotilaallisia ja ilmailua, erittäin tarkkaa biosensoria, huippuluokan epäpuhtauksia ja muita puolijohdeakkuja varten; Laitteen korkean vakauden, vähäisen vuodon ja pitkien jaksojen vuoksi on valittava TF1010.

Q2: Mihin skenaarioihin TF1010:n kolme tuhkaerittelyä vastaavasti mukautuvat?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

Kysymys 3: TF1010 yksiseinämäinen puhtaus 98,5%, kuinka paljon se parantaa transistorin päälle/pois-suhdetta?

V: Koska TF1000 sisältää suuria määriä moniseinäisiä sekalaisia ​​putkia, transistorin päälle/pois-suhde on vain 10³–10⁴; TF1010:ssä on erittäin vähän sekalaisia ​​faasiepäpuhtauksia, ja erotuksen jälkeen puolijohtavan hiiliputken laitteen päälle/pois-suhde voi saavuttaa yli 10⁷, mikä täyttää edistyneiden prosessisirujen suorituskykyvaatimukset.

Kysymys 4: Kun TF1010:tä käytetään solid-state-akuissa, kuinka paljon kennojen itsepurkautumista voidaan vähentää verrattuna TF1000:een?

V: TF1010-metallikatalyyttiset epäpuhtaudet ovat vähentyneet huomattavasti, puolijohdesolujen huoneenlämpötilassa varastoinnin 30 päivän kapasiteetin vaimennus pienenee 40 % ja syklin käyttöikä on parantunut 35 % mukautuen pitkän kantaman solid-state-akkujen pilottimassatuotantoon autonvalmistajille.

Kysymys 5: Onko TF1010-jauhetta vaikea dispergoida, ja voiko se mukautua puolijohdelitografiaan tukeviin lietteisiin?

V: Erittäin puhdasta modifioitua TF1010-jauhetta voidaan mukauttaa litografialle omistettuun vähäepäpuhtaiseen orgaaniseen liuotindispersioon, jossa ei ole metallin saostumista saastuttavia kiekkoja; Yrityksemme voi tarjota matalan leikkausvoiman ja korkean puhtauden dispersioprosessiratkaisuja.

Kysymys 6: Voiko TF1010 antaa erityisiä erittäin puhtaita metallien epäpuhtauksien testausraportteja sotilas- ja puolijohdeprojekteissa?

V: Jokaisessa erässä on riippumaton ICP-OES korkean puhtauden tuhkan testiarkki, joka merkitsee tarkasti eri katalyyttimetallien jäännöspitoisuudet. Täysi joukko RoHS-, REACH- ja MSDS-asiakirjoja on valmis, ja se täyttää kolmannen osapuolen tarkastukset sotilas- ja puolijohdetuotteiden tuonti- ja vientimateriaaleista.

Q7: Minkä läpäisykyvyn TF1010 voi saavuttaa läpinäkyvien johtavien kalvojen valmistuksessa? Onko sumuongelmia?

V: Filmin läpäisykyky Suurempi tai yhtä suuri kuin 90 %, sameus<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Suositut Tagit: tf1010 yksiseinäinen hiilinanoputkijauhe, Kiina tf1010 yksiseinämäinen hiilinanoputkijauhe valmistajat, toimittajat, tehdas